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第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状

已有 126 次阅读 2021-9-18 11:02 |系统分类:论文交流

第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状

蔡蔚,孙东阳,周铭浩,郭庆波,高晗璎

哈尔滨理工大学电气与电子工程学院,哈尔滨150080

摘要 近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体系的可持续发展至关重要。在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上,综述了其材料、器件研发和产业的发展现状,阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果,剖析了第三代半导体行业存在的关键问题。建议在国家政策的进一步领导之下,发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用,对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑,引导各环节间实现资源共享、强强联合,上下游互相拉动和促进,形成一个布局合理、结构完整的产业链。

关键词 第三代宽禁带功率半导体;碳化硅;氮化镓;芯片与封装技术;半导体应用与市场;碳化硅控制器和逆变器

(责任编辑  王志敏)

http://www.kjdb.org/CN/Y2021/V39/I14/42



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