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图1 ZnO 纳米带晶体管在4.2 K温度下的电导振荡(a)均匀的库仑间隔和(b)非均匀的库仑间隔. 4.2 K温度下差分跨导的等高图: (c)单隧穿量子点; (d)多隧穿结
近期,中科院物理所许秀来研究员团队采用先进的微纳加工工艺制备了单根掺杂铟的ZnO纳米带晶体管,并成功测量了器件的性质,在4.2 K低温环境下观测到了库仑阻塞及单、双电子泵浦等量子输运现象。相关研究成果发表在SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy 2020年第6期,标题为"Single-electron pumping in a ZnO single-nanobelt quantum-dot transistor"。
图2 ZnO量子点的单、双电子泵浦: (a) 泵浦电压为3 V; (c) 泵浦电压为2.7 V. 泵浦电流和脉冲频率的函数关系: (b) 泵浦电压为3 V; (d) 泵浦电压为2.7 V
Hassan Ali, Jing Tang, Kai Peng, SiBai Sun, Attia Falak, FeiLong Song, ShiYao Wu, ChenJiang Qian, Meng Wang, XiTian Zhang, Muhammad Aftab Rafiq, XiuLai Xu, Single-electron pumping in a ZnO single-nanobelt quantum dot transistor, SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 63(6), (267811) 2020
http://engine.scichina.com/doi/10.1007/s11433-019-1494-4
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