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芯片上的网格(100117)

已有 3851 次阅读 2010-1-17 11:12 |个人分类:微电子|系统分类:科研笔记| 网格, 纳米芯片

芯片上的网格(100114)
闵应骅
    集成电路迅速发展了40年,虽然有许多物理学家预测了它的末日,它现在还在继续发展。当然,集成电路的工艺尺寸肯定是有限制的。
    大约10年前吧!出现了SOC(System-On-a-Chip)。那时候,有人把它翻译为“片上系统”,基本上是按英文翻译的,但是忽略了中间的"-"。其实,这里强调的是“芯片”,而不是“系统”。所以应该翻成“系统芯片”,和“存储器芯片”、“模拟电路芯片”等词类似。在九华山庄论坛上我就发表了这个意见,得到不少人的赞同。但由于某些原因,这词还是没有广泛用起来,现在用这两者的都有。
    现在又出来了Grid on a chip,但这次没有“-”,我把它翻成“芯片上的网格”。我们知道,Grid原意是指输电网。输电网技术仍在不断发展,同时,它也被应用到集成电路中来。
    对于纳米芯片,由于各种原因,电源电压只能是1伏左右。而从外部,要给每一个微处理器送入多于100安培的电流。用铜线连接,损耗很大,而且要占用许多输人/出管脚,例如70%,只有少量管脚用于传递数据。这当然是不能允许的。近3-5年来,许多人研究在芯片内设电源变换器,以减少送入的电流,到芯片内再变成低电压,像配电系统中的变电站一样。
    要做到这一点,首先要在材料上想办法。譬如用氮化镓,可能承受20伏的高电压。但不管怎么样,电感和电容在变换器中不可缺少,还有滤波器。这些东西不可能做到像晶体管那么小。有人用含钴的磁性材料做片上电感。还有办法是用三维芯片,把电感、电容做在另一块芯片上。但是,所有这些办法要想能转换出0.9V,1V,或者1.2V,三者都可以,那就很困难。这是当今纳米芯片发展中一个无法回避的问题,等待人们去创新。





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