电子束照射样品可能产生的主要效应：

1 电子激发和原子的离子化，能量为eV级别，对于绝缘体影响重大。电子激发态寿命足够长，能引起原子间键的不稳定和重排，或导致键的断裂（Radiolysis）。而金属和石墨受此影响较低。金属中产生的离子能被迅速淬灭，~10^-15s。

2 集体电子激发，如Plasmon。电子损失的能量迁移到多个键上，迁移取决于价电子密度。

3 键的断裂和交联。

4 Exicitation of phonons，产生声子（phonon），热效应。这源自电子和原子核的碰撞，产生meV级的能量转移。产生的热效应和样品的热扩散能力有关。一般EB能量越高热效应越低。

5 表面原子溅射，原因是表面原子张力小，只需克服升华的能量即可。

二级效应：

1 产生光子，如X-ray和可见光。

2 产生二级电子或Auger电子，使得样品带电。

EB辐照对绝缘体和金属的效应十分不同。对于绝缘体，非弹性作用如原子离子化，键的断裂等占主导作用。对于金属性物质，离子化作用由于自由电子的存在而被淬灭。辐照的主要作用为Knockon atom displacement。所以金属在EB辐照下较为稳定，特别是EB能量低的情况下。粒子束能量增高，原子敲除作用增强，激发作用降低。粒子本身质量越高，敲除越容易。

敲除发生的时间很短，

10⁻²¹ s: energy transfer from the particle to thenucleus (primary knock-on);

10⁻¹³ s: interatomic collisions (cascade);

10⁻¹¹ s: dissipation of epithermal energy (stabledefects and clusters);

>10⁻¹¹ s: thermal migration of point defects.