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星际分子掠影（七）一氧化硅（SiO）
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基本参数
SiO的电偶极矩为3.092德拜（参见Woon & Herbst 2009和http://www.astrochymist.org/properties/，splataloguehttp://www.cv.nrao.edu/php/splat/）。
常见跃迁
SiO J=1-0 v=3 42.519373 GHz CDMS/JPL对数线强 -10.99270，Lovas线强 2.0
SiO J=1-0 v=2 42.820582 GHz CDMS/JPL对数线强 -8.48040，Lovas线强 15.0
SiO J=1-0 v=1 43.122079 GHz CDMS/JPL对数线强 -5.94340，Lovas线强 29.0
SiO J=1-0 v=0 43.423864 GHz CDMS/JPL对数线强 -3.38180，Lovas线强 0.5
由振子强度（Lovas线强）和爱因斯坦A系数的关系
$A_{i\to j}=(64\pi^4\nu_{ij}^3/3 h c^3)g_i^{-1}S_{ij}\mu^2$
可以得到相应的爱因斯坦A系数：$5.69\times 10^{-6}$/s、$4.36\times 10^{-5}$/s、$8.60\times 10^{-5}$/s、$1.51\times 10^{-6}$/s。临界密度可进行相应计算（Rohlfs & Wilson, 2005）。
发现
SiO最早是在临近的河外星系中的分子气体中探测到的（NGC 253、Maffei 2、IC 342、M82、NGC 6946，Mauersberger & Henkel 1991）。
应用
SiO脉泽可以用于探测有剧烈相互作用的气体。
参考文献
Mauersberger & Henkel, 1991, A&A, 245, 457
Lovas, 2004, J. Phys. Chem. Ref. Data, 33, 177
Rohlfs & Wilson, 2005, 射电天文工具，343页，北京师范大学出版社。
Woon & Herbst, 2009, ApJS, 185, 273
https://blog.sciencenet.cn/blog-117333-743046.html
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